casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1258AB-70
codice articolo del costruttore | DS1258AB-70 |
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Numero di parte futuro | FT-DS1258AB-70 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1258AB-70 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 2Mb (128K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.75V ~ 5.25V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 40-EDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1258AB-70 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1258AB-70-FT |
DS28E22P+
Maxim Integrated
DS28EC20P+
Maxim Integrated
DS2502P-E48+
Maxim Integrated
DS28E07P+
Maxim Integrated
DS24L65P+
Maxim Integrated
DS28E07P+T
Maxim Integrated
DS2430AP+T&R
Maxim Integrated
DS2431P-A1+T
Maxim Integrated
DS2502P+T&R
Maxim Integrated
DS2505P+T&R
Maxim Integrated
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel