casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1230YP-70IND+
codice articolo del costruttore | DS1230YP-70IND+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1230YP-70IND+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1230YP-70IND+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 34-PowerCap™ Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | 34-PowerCap Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230YP-70IND+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1230YP-70IND+-FT |
MT45W4MW16PFA-85 WT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-85 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W512KW16PEGA-70 IT TR
Micron Technology Inc.
MT45W512KW16PEGA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08FAAWP-ET:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08FAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08AAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel