casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1230Y-70IND+
codice articolo del costruttore | DS1230Y-70IND+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1230Y-70IND+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1230Y-70IND+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-EDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230Y-70IND+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1230Y-70IND+-FT |
MR2A16AMYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AVYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AVYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel