casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRA9124X0L
codice articolo del costruttore | DRA9124X0L |
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Numero di parte futuro | FT-DRA9124X0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA9124X0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 125mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini3-F3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA9124X0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA9124X0L-FT |
DTD143EKT146
Rohm Semiconductor
DTA113TKAT146
Rohm Semiconductor
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Rohm Semiconductor
DTC123YKAT146
Rohm Semiconductor
DTC124EKAT146
Rohm Semiconductor
DTC124TKAT146
Rohm Semiconductor
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Rohm Semiconductor
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DTA123JKAT146
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AGLN020V5-CSG81I
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A3P250-PQG208I
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EP4CE55F23C7N
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5SGXMA4K3F40C2LN
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10AX032H3F34I2SG
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10M08SCE144A7G
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5SGXMA3K3F35C2LN
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XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.