casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTA113TKAT146
codice articolo del costruttore | DTA113TKAT146 |
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Numero di parte futuro | FT-DTA113TKAT146 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTA113TKAT146 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA113TKAT146 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTA113TKAT146-FT |
DTA114TU3HZGT106
Rohm Semiconductor
DTA114WUAT106
Rohm Semiconductor
DTA114YU3HZGT106
Rohm Semiconductor
DTA114YU3T106
Rohm Semiconductor
DTA115EU3HZGT106
Rohm Semiconductor
DTA115EU3T106
Rohm Semiconductor
DTA115GUAT106
Rohm Semiconductor
DTA115TUAT106
Rohm Semiconductor
DTA123EU3HZGT106
Rohm Semiconductor
DTA123JU3HZGT106
Rohm Semiconductor
LFE2-12E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-3CSG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EPF10K250EFC672-1
Intel
5SGSMD3E2H29I3LN
Intel
5SGSMD4E2H29I3L
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
EPF10K30EQI208-2N
Intel