casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTB122JKT146
codice articolo del costruttore | DTB122JKT146 |
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Numero di parte futuro | FT-DTB122JKT146 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTB122JKT146 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 220 Ohms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 47 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTB122JKT146 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTB122JKT146-FT |
DTC144GUAT106
Rohm Semiconductor
DTC144TUAT106
Rohm Semiconductor
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Rohm Semiconductor
DTC614TUT106
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DTC643TUT106
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DTD113ZUT106
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DTA114YUAT106
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DTA115EUAT106
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XC3S200A-4FT256I
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XC4010E-4PQ208C
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A54SX08A-1PQG208
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LAE5UM-45F-6BG381E
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EPF6010ATC100-1N
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EP4S100G3F45I3
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5SGXEB6R2F43C2N
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XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
EPF8282ALC84-4
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5SGXEA3H3F35I4N
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