casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRA3144E0L
codice articolo del costruttore | DRA3144E0L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DRA3144E0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA3144E0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSSMini3-F2-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA3144E0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA3144E0L-FT |
PDTC115TK,115
NXP USA Inc.
PDTC123EK,115
NXP USA Inc.
PDTC123JK,115
NXP USA Inc.
PDTC123YK,115
NXP USA Inc.
PDTC124EK,115
NXP USA Inc.
PDTC124TK,115
NXP USA Inc.
PDTC124XK,115
NXP USA Inc.
PDTC143EK,115
NXP USA Inc.
PDTC143TK,115
NXP USA Inc.
PDTC143XK,115
NXP USA Inc.
XC7A50T-2FTG256C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50VFC484-2
Intel
5SGXMA7N2F40C2N
Intel
EP4SE360H29C4N
Intel
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6NES
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel
EP1SGX25FF1020C5N
Intel