casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTC123EK,115
codice articolo del costruttore | PDTC123EK,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PDTC123EK,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDTC123EK,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT3; MPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTC123EK,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDTC123EK,115-FT |
BCR191E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR192E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR192E6785HTSA1
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BCR196E6327HTSA1
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BCR198B6327HTLA1
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BCR198E6393HTSA1
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BCR198E6433HTMA1
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BCR503E6393HTSA1
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BCR505E6778HTSA1
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BCR521E6327HTSA1
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LCMXO2-1200HC-4TG144C
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LCMXO256C-5T100C
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AX500-FGG484
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M2GL005S-1VFG400I
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M1AGL250V2-VQG100I
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