casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTC114EK,135
codice articolo del costruttore | PDTC114EK,135 |
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Numero di parte futuro | FT-PDTC114EK,135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDTC114EK,135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT3; MPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTC114EK,135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDTC114EK,135-FT |
BCR169E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR183E6359HTMA1
Infineon Technologies
BCR183E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR185E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR185E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR191E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR192E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR192E6785HTSA1
Infineon Technologies
BCR196E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR198B6327HTLA1
Infineon Technologies
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP3CLS100F484I7N
Intel
5SGXMA4K3F40I3N
Intel
EP3C5E144I7
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
AGL060V5-CSG121I
Microsemi Corporation
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation