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codice articolo del costruttore | DRA127-680-R |
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Numero di parte futuro | FT-DRA127-680-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DRA |
DRA127-680-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 68µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.333A |
Corrente - Saturazione | 4.18A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 115 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 165°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.315" (8.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA127-680-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA127-680-R-FT |
HC2-2R2TR-R
Eaton - Electronics Division
HC1-R22-R
Eaton - Electronics Division
HC1-7R8-R
Eaton - Electronics Division
HC1-3R6-R
Eaton - Electronics Division
HC1-2R3-R
Eaton - Electronics Division
HC1-1R7-R
Eaton - Electronics Division
HC1-1R0-R
Eaton - Electronics Division
HC1-100-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-230-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-200-R
Eaton - Electronics Division
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel