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codice articolo del costruttore | DRA127-470-R |
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Numero di parte futuro | FT-DRA127-470-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DRA |
DRA127-470-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 47µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.62A |
Corrente - Saturazione | 5.09A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 91 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 165°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.315" (8.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA127-470-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA127-470-R-FT |
HC2-R68-R
Eaton - Electronics Division
HC2-R68TR-R
Eaton - Electronics Division
HC2-2R2TR-R
Eaton - Electronics Division
HC1-R22-R
Eaton - Electronics Division
HC1-7R8-R
Eaton - Electronics Division
HC1-3R6-R
Eaton - Electronics Division
HC1-2R3-R
Eaton - Electronics Division
HC1-1R7-R
Eaton - Electronics Division
HC1-1R0-R
Eaton - Electronics Division
HC1-100-R
Eaton - Electronics Division
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel