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codice articolo del costruttore | DRA127-330-R |
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Numero di parte futuro | FT-DRA127-330-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DRA |
DRA127-330-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 33µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.22A |
Corrente - Saturazione | 6.22A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 60 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 165°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.315" (8.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA127-330-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA127-330-R-FT |
HC2-R47TR-R
Eaton - Electronics Division
HC2-R68-R
Eaton - Electronics Division
HC2-R68TR-R
Eaton - Electronics Division
HC2-2R2TR-R
Eaton - Electronics Division
HC1-R22-R
Eaton - Electronics Division
HC1-7R8-R
Eaton - Electronics Division
HC1-3R6-R
Eaton - Electronics Division
HC1-2R3-R
Eaton - Electronics Division
HC1-1R7-R
Eaton - Electronics Division
HC1-1R0-R
Eaton - Electronics Division
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel