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codice articolo del costruttore | DR1050-102-R |
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Numero di parte futuro | FT-DR1050-102-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DR1050 |
DR1050-102-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1mH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 430mA |
Corrente - Saturazione | 480mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.95 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.197" (5.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1050-102-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DR1050-102-R-FT |
DRA73-681-R
Eaton - Electronics Division
DRA73-6R8-R
Eaton - Electronics Division
DRA73-820-R
Eaton - Electronics Division
DRA73-821-R
Eaton - Electronics Division
DRA73-8R2-R
Eaton - Electronics Division
DRA127-101-R
Eaton - Electronics Division
DRA127-150-R
Eaton - Electronics Division
DRA127-220-R
Eaton - Electronics Division
DRA127-221-R
Eaton - Electronics Division
DRA127-330-R
Eaton - Electronics Division
LCMXO1200C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23C7N
Intel
EP3C16U256C8N
Intel
10AX048K4F35I3LG
Intel
5SGXEA3K2F35I3
Intel
XC6VLX240T-1FFG784C
Xilinx Inc.
XC2VP50-6FF1148C
Xilinx Inc.
EP2AGX65CU17C6N
Intel
EPF10K50VQC240-2
Intel