casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / DPLS325E-13
codice articolo del costruttore | DPLS325E-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DPLS325E-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DPLS325E-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DPLS325E-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DPLS325E-13-FT |
FJAF4210YTU
ON Semiconductor
FJAF4210RTU
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
FJPF13009H1TU
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KSD1273QYDTU
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BSP50
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BSP52
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DXTP3C60PS-13
Diodes Incorporated
AT40K10LV-3BQC
Microchip Technology
XC3S400A-5FG400C
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XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
5SGSED8N2F45I2
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5SGSMD6N3F45C2N
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LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35I5N
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EPF8282ALC84-4N
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EPF8452AQC160-4
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EP4SGX180FF35I3
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