casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSD2012YYDTU
codice articolo del costruttore | KSD2012YYDTU |
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Numero di parte futuro | FT-KSD2012YYDTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSD2012YYDTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
Potenza - Max | 25W |
Frequenza - Transizione | 3MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-3 (Y-Forming) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSD2012YYDTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSD2012YYDTU-FT |
KSA1174PTA
ON Semiconductor
KSA1175GBU
ON Semiconductor
KSA1175GTA
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XC6SLX75-N3CSG484I
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XC3S1600E-4FG400I
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LIF-MD6000-6UWG36ITR50
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ICE5LP1K-CM36ITR
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5SGSMD8N2F45C2LN
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XC2VP50-6FF1152I
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