casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / DP350T05-7
codice articolo del costruttore | DP350T05-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DP350T05-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DP350T05-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DP350T05-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DP350T05-7-FT |
MMBT2907AT-7-F
Diodes Incorporated
2DA2018-7
Diodes Incorporated
BC847BT-7-F
Diodes Incorporated
MMBT3904T-7-F
Diodes Incorporated
MMBT3906T-7-F
Diodes Incorporated
MMBT4403T-7-F
Diodes Incorporated
MMBT2222AT-7-F
Diodes Incorporated
2DC4617R-7-F
Diodes Incorporated
BC847CT-7-F
Diodes Incorporated
BC857BT-7-F
Diodes Incorporated
APA300-FG256M
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43I3N
Intel
5SGXEA5K2F35I2LN
Intel
XC4VLX80-11FF1148I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
LFE2-6SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6
Intel
EP1S40F780C8
Intel