casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT2222AT-7-F
codice articolo del costruttore | MMBT2222AT-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT2222AT-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMBT2222AT-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT2222AT-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT2222AT-7-F-FT |
BSR33QTA
Diodes Incorporated
2DB1132Q-13
Diodes Incorporated
2DD2150R-13
Diodes Incorporated
BC868TA
Diodes Incorporated
BC869TA
Diodes Incorporated
BCV29TA
Diodes Incorporated
BCV48TA
Diodes Incorporated
BCX6916TA
Diodes Incorporated
BF621TA
Diodes Incorporated
BSR31TA
Diodes Incorporated
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
5SGXEA3K2F40C2N
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC7K325T-2FB900I
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
Intel
EP20K100QC240-1
Intel
EP20K60EQI208-2X
Intel