casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DSEI120-12A
codice articolo del costruttore | DSEI120-12A |
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Numero di parte futuro | FT-DSEI120-12A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSEI120-12A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 75A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 70A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 60ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSEI120-12A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSEI120-12A-FT |
6A4
Micro Commercial Co
6A6
Micro Commercial Co
6A8
Micro Commercial Co
FR1001-AP
Micro Commercial Co
FR1001-TP
Micro Commercial Co
FR1002-AP
Micro Commercial Co
FR1002-TP
Micro Commercial Co
FR1003-AP
Micro Commercial Co
FR1003-TP
Micro Commercial Co
FR1004-AP
Micro Commercial Co
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel