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Diodes Incorporated DMTH43M8LPSQ-13

Name: DMTH43M8LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH43M8LPSQ-13
Price: 0.49444 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (429 reviews)

Numero parte MFG: DMTH43M8LPSQ-13

quantità disponibile: 50170 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.49444

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMTH43M8LPSQ-13.pdf

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DMTH43M8LPSQ-13 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMTH43M8LPSQ-13
Numero di parte futuro	FT-DMTH43M8LPSQ-13
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
DMTH43M8LPSQ-13 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3.367nF @ 20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.7W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerDI5060-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMTH43M8LPSQ-13 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMTH43M8LPSQ-13-FT

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