casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APTM50UM13SAG
codice articolo del costruttore | APTM50UM13SAG |
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Numero di parte futuro | FT-APTM50UM13SAG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTM50UM13SAG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 335A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 167.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 20mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 800nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 42200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3290W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
Pacchetto / caso | SP6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM50UM13SAG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTM50UM13SAG-FT |
FDWS86380-F085
ON Semiconductor
SIJ438ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJA58ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS10ADN-T1-GE3
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SISS92DN-T1-GE3
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SIUD401ED-T1-GE3
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SUM40012EL-GE3
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SUP40012EL-GE3
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FCP16N60N-F102
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FCMT099N65S3
ON Semiconductor
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
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LCMXO256E-3M100I
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LCMXO1200E-3MN132I
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