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Diodes Incorporated DMN60H4D5SK3-13

Name: DMN60H4D5SK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN60H4D5SK3-13
Price: 0.192024 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (396 reviews)

Numero parte MFG: DMN60H4D5SK3-13

quantità disponibile: 15040 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.192024

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMN60H4D5SK3-13.pdf

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DMN60H4D5SK3-13 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMN60H4D5SK3-13
Numero di parte futuro	FT-DMN60H4D5SK3-13
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN60H4D5SK3-13 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	273.5pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	41W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN60H4D5SK3-13 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMN60H4D5SK3-13-FT

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