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codice articolo del costruttore | DMPH6050SK3Q-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMPH6050SK3Q-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMPH6050SK3Q-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1377pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMPH6050SK3Q-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMPH6050SK3Q-13-FT |
ZXMN6A08KTC
Diodes Incorporated
ZXMP6A16KTC
Diodes Incorporated
DMT10H010LK3-13
Diodes Incorporated
DMN4036LK3-13
Diodes Incorporated
ZXMP10A18KTC
Diodes Incorporated
DMP4025LK3-13
Diodes Incorporated
ZXMN4A06KTC
Diodes Incorporated
DMNH10H028SK3-13
Diodes Incorporated
DMN15H310SK3-13
Diodes Incorporated
DMT8012LK3-13
Diodes Incorporated
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel