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codice articolo del costruttore | DMT10H010LK3-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMT10H010LK3-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMT10H010LK3-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 68.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2592pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT10H010LK3-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMT10H010LK3-13-FT |
DMN2053U-7
Diodes Incorporated
DMN2055U-7
Diodes Incorporated
DMN60H080DS-13
Diodes Incorporated
DMP2120U-7
Diodes Incorporated
DMP3165L-7
Diodes Incorporated
ZVN3320FTA
Diodes Incorporated
ZVP3310FTA
Diodes Incorporated
DMG2302UKQ-7
Diodes Incorporated
DMG2305UXQ-7
Diodes Incorporated
DMP1045UQ-7
Diodes Incorporated
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel