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Diodes Incorporated DMT10H010LK3-13

Numero parte MFG
DMT10H010LK3-13
quantità disponibile
57880 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.4872
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-DMT10H010LK3-13
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMT10H010LK3-13 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 68.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53.7nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2592pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT10H010LK3-13 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMT10H010LK3-13-FT

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