casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMP3099L-13
codice articolo del costruttore | DMP3099L-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMP3099L-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMP3099L-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 563pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.08W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP3099L-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMP3099L-13-FT |
ZXM62N03E6TA
Diodes Incorporated
ZXM63N02E6TA
Diodes Incorporated
ZXMN2A01E6TC
Diodes Incorporated
ZXMN2A03E6TC
Diodes Incorporated
ZXMN3A01E6TC
Diodes Incorporated
ZXMN3A03E6TC
Diodes Incorporated
DMG2302U-7
Diodes Incorporated
DMG301NU-13
Diodes Incorporated
DMN2050L-7
Diodes Incorporated
DMN30H4D0L-7
Diodes Incorporated
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel