casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ZXM63N02E6TA
codice articolo del costruttore | ZXM63N02E6TA |
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Numero di parte futuro | FT-ZXM63N02E6TA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXM63N02E6TA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-6 |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXM63N02E6TA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXM63N02E6TA-FT |
IRFL214TR
Vishay Siliconix
IRFL4105
Infineon Technologies
IRFL4105PBF
Infineon Technologies
IRFL4105TR
Infineon Technologies
IRFL4105TRPBF
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IRFL4310PBF
Infineon Technologies
IRFL4310TR
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IRFL4310TRPBF
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IRFL4315
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IRFL4315PBF
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
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A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
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5SGXEABN2F45I2N
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XC6SLX45-N3CSG324C
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XC6SLX45T-N3CSG324C
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LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
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