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Diodes Incorporated DMN61D8LVTQ-13

Numero parte MFG
DMN61D8LVTQ-13
quantità disponibile
39410 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.14424
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore DMN61D8LVTQ-13
Numero di parte futuro FT-DMN61D8LVTQ-13
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN61D8LVTQ-13 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12.9pF @ 12V
Potenza - Max 820mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore TSOT-26
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN61D8LVTQ-13 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMN61D8LVTQ-13-FT

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