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Diodes Incorporated DMN61D8LVTQ-13
- Numero parte MFG
- DMN61D8LVTQ-13
- quantità disponibile
- 39410 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.14424
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Diodes Incorporated
- Breve descrizione
- - MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- DMN61D8LVTQ-13.pdf
DMN61D8LVTQ-13 specificazioni
| codice articolo del costruttore | DMN61D8LVTQ-13 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-DMN61D8LVTQ-13 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| DMN61D8LVTQ-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 630mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 150mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12.9pF @ 12V |
| Potenza - Max | 820mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMN61D8LVTQ-13 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | DMN61D8LVTQ-13-FT |
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