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Diodes Incorporated ZXMHN6A07T8TA

Name: ZXMHN6A07T8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMHN6A07T8TA
Availability: InStock
Rating: 4.9 (153 reviews)

Numero parte MFG: ZXMHN6A07T8TA

quantità disponibile: 31210 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: ZXMHN6A07T8TA.pdf

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ZXMHN6A07T8TA specificazioni

codice articolo del costruttore	ZXMHN6A07T8TA
Numero di parte futuro	FT-ZXMHN6A07T8TA
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
ZXMHN6A07T8TA Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	166pF @ 40V
Potenza - Max	1.6W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-223-8
Pacchetto dispositivo fornitore	SM8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMHN6A07T8TA Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	ZXMHN6A07T8TA-FT

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