casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMN601DMK-7
codice articolo del costruttore | DMN601DMK-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN601DMK-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN601DMK-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 510mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 304nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Potenza - Max | 700mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-26 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN601DMK-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN601DMK-7-FT |
FDS9945
ON Semiconductor
FDS6930A
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ON Semiconductor
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS1500-1FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C8N
Intel
XC4VLX25-11FFG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84I
Microsemi Corporation
5AGXBB1D4F35I5N
Intel
EP20K400CB652C8
Intel
EP4SGX290FF35C3N
Intel