casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMN5L06DMKQ-7
codice articolo del costruttore | DMN5L06DMKQ-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN5L06DMKQ-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN5L06DMKQ-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 305mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 50mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Potenza - Max | 400mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-26 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN5L06DMKQ-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN5L06DMKQ-7-FT |
FDS8949
ON Semiconductor
FDS8949-F085
ON Semiconductor
FDS9945
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FDS6930A
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XC6VLX130T-L1FFG484C
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P1AFS1500-2FG484
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MPF200T-FCG484E
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5SGXEA7K2F40I3N
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XC4010L-5PC84C
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XC7K160T-1FB484I
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XC2VP4-5FFG672I
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XC5VLX85-1FF676I
Xilinx Inc.
5AGXFB3H4F35I3N
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EP1SGX40GF1020C6
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