casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMFS4C10NBT3G
codice articolo del costruttore | NTMFS4C10NBT3G |
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Numero di parte futuro | FT-NTMFS4C10NBT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFS4C10NBT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16.4A (Ta), 46A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.95 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 987pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.51W (Ta), 23.6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4C10NBT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMFS4C10NBT3G-FT |
DMN3009LFV-7
Diodes Incorporated
NVTFS5C471NLTAG
ON Semiconductor
DMT32M5LFG-7
Diodes Incorporated
FDMS2D4N03S
ON Semiconductor
DMP3007LSS-13
Diodes Incorporated
DMN2024UFDF-7
Diodes Incorporated
DMT10H009LSS-13
Diodes Incorporated
FDWS9408-F085
ON Semiconductor
NTTFS5CS73NLTAG
ON Semiconductor
DMT3009LFVW-7
Diodes Incorporated
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.