casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN30H4D0L-13
codice articolo del costruttore | DMN30H4D0L-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN30H4D0L-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN30H4D0L-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 300mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 187.3pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 310mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN30H4D0L-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN30H4D0L-13-FT |
DMN2040U-13
Diodes Incorporated
DMN2046U-13
Diodes Incorporated
DMN2053U-13
Diodes Incorporated
DMN2055U-13
Diodes Incorporated
DMN2056U-13
Diodes Incorporated
DMN2230UQ-13
Diodes Incorporated
DMN24H11DSQ-13
Diodes Incorporated
DMN24H3D5L-13
Diodes Incorporated
DMN3023L-13
Diodes Incorporated
DMN3042L-13
Diodes Incorporated
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel