casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN3016LFDE-13
codice articolo del costruttore | DMN3016LFDE-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN3016LFDE-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN3016LFDE-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1415pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 730mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type E) |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3016LFDE-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN3016LFDE-13-FT |
DMN3016LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3024LSS-13
Diodes Incorporated
DMN6066SSS-13
Diodes Incorporated
DMP3015LSS-13
Diodes Incorporated
DMT10H014LSS-13
Diodes Incorporated
DMT6005LSS-13
Diodes Incorporated
DMT6010LSS-13
Diodes Incorporated
ZXMN2A02N8TA
Diodes Incorporated
DMN4025LSD-13
Diodes Incorporated
DMG4407SSS-13
Diodes Incorporated
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel