casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN2112SN-7
codice articolo del costruttore | DMN2112SN-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN2112SN-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2112SN-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2112SN-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN2112SN-7-FT |
BS870Q-7-F
Diodes Incorporated
BSS138-13-F
Diodes Incorporated
BSS138K-13
Diodes Incorporated
BSS138K-7
Diodes Incorporated
BSS138Q-7-F
Diodes Incorporated
DMG301NU-7
Diodes Incorporated
DMN10H700S-7
Diodes Incorporated
DMN31D5L-13
Diodes Incorporated
DMN31D5L-7
Diodes Incorporated
DMN3200U-7
Diodes Incorporated