casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN10H700S-7
codice articolo del costruttore | DMN10H700S-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN10H700S-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMN10H700S-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 700mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN10H700S-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN10H700S-7-FT |
DMN2046U-7
Diodes Incorporated
DMP6350S-7
Diodes Incorporated
ZXMP3F30FHTA
Diodes Incorporated
DMP3099LQ-7
Diodes Incorporated
DMG2305UX-7
Diodes Incorporated
DMN2005K-7
Diodes Incorporated
DMP2305UVT-7
Diodes Incorporated
DMP3125L-7
Diodes Incorporated
ZXMN10A07FTA
Diodes Incorporated
DMN10H700S-13
Diodes Incorporated
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel