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Diodes Incorporated DMN2014LHAB-7

Name: DMN2014LHAB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2014LHAB-7
Price: 0.170992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (776 reviews)

Numero parte MFG: DMN2014LHAB-7

quantità disponibile: 94380 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.170992

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMN2014LHAB-7.pdf

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DMN2014LHAB-7 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMN2014LHAB-7
Numero di parte futuro	FT-DMN2014LHAB-7
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN2014LHAB-7 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1550pF @ 10V
Potenza - Max	800mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	U-DFN2030-6 (Type B)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2014LHAB-7 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMN2014LHAB-7-FT

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