casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMJ70H601SV3
codice articolo del costruttore | DMJ70H601SV3 |
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Numero di parte futuro | FT-DMJ70H601SV3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMJ70H601SV3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.9nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 686pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMJ70H601SV3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMJ70H601SV3-FT |
DMPH4025SFVWQ-13
Diodes Incorporated
DMPH4025SFVWQ-7
Diodes Incorporated
DMT3020LFCL-7
Diodes Incorporated
DMT4003SCT
Diodes Incorporated
DMT6005LFG-7
Diodes Incorporated
DMT6012LFDF-13
Diodes Incorporated
DMT6012LFDF-7
Diodes Incorporated
DMTH10H005LCT
Diodes Incorporated
DMTH10H005SCT
Diodes Incorporated
DMTH10H010LCTB-13
Diodes Incorporated
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel