casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMG6968UQ-7
codice articolo del costruttore | DMG6968UQ-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMG6968UQ-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG6968UQ-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 151pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG6968UQ-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMG6968UQ-7-FT |
DMG1012TQ-7
Diodes Incorporated
DMN55D0UT-7
Diodes Incorporated
DMN5L06TK-7
Diodes Incorporated
2N7002T-7
Diodes Incorporated
DMN5L06T-7
Diodes Incorporated
ZXMN3A03E6TA
Diodes Incorporated
ZXMN2A03E6TA
Diodes Incorporated
ZVP4525E6TA
Diodes Incorporated
ZXMP3A17E6TA
Diodes Incorporated
ZXMN2B03E6TA
Diodes Incorporated
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.