casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMG6601LVT-7
codice articolo del costruttore | DMG6601LVT-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMG6601LVT-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG6601LVT-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A, 2.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 422pF @ 15V |
Potenza - Max | 850mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG6601LVT-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMG6601LVT-7-FT |
FDMD8560L
ON Semiconductor
FDPC4044
ON Semiconductor
FPF1C2P5BF07A
ON Semiconductor
FDPC8012S
ON Semiconductor
FDPC8013S
ON Semiconductor
FDMS7606
ON Semiconductor
FDMS8090
ON Semiconductor
FDMS7700S
ON Semiconductor
FDMS7620S
ON Semiconductor
FDMS7608S
ON Semiconductor
EX256-PTQ100I
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FFG1517C
Xilinx Inc.
APA150-FG144I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FC484-3
Intel
EP4SGX290FH29C4N
Intel
EP2AGX65DF25C6NES
Intel
5SGXEB6R3F43C2N
Intel
LFE3-150EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation