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Diodes Incorporated DMG6601LVT-7
- Numero parte MFG
- DMG6601LVT-7
- quantità disponibile
- 90260 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.07848
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Diodes Incorporated
- Breve descrizione
- - MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- DMG6601LVT-7.pdf
DMG6601LVT-7 specificazioni
| codice articolo del costruttore | DMG6601LVT-7 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-DMG6601LVT-7 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| DMG6601LVT-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A, 2.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 422pF @ 15V |
| Potenza - Max | 850mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMG6601LVT-7 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | DMG6601LVT-7-FT |
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