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Diodes Incorporated DMG4N65CT

Numero parte MFG
DMG4N65CT
quantità disponibile
65380 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.984
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Data di spedizione
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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DMG4N65CT specificazioni

codice articolo del costruttore DMG4N65CT
Numero di parte futuro FT-DMG4N65CT
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMG4N65CT Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.19W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG4N65CT Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMG4N65CT-FT

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