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codice articolo del costruttore | FCP11N60N-F102 |
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Numero di parte futuro | FT-FCP11N60N-F102 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FCP11N60N-F102 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299 mOhm @ 5.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1505pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCP11N60N-F102 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCP11N60N-F102-FT |
DMN5L06WKQ-7
Diodes Incorporated
DMN3009LFV-13
Diodes Incorporated
DMN2990UFO-7B
Diodes Incorporated
NVATS5A114PLZT4G
ON Semiconductor
NTMFS4C800NT1G
ON Semiconductor
DMT4002LPS-13
Diodes Incorporated
NVTFS5C478NLTAG
ON Semiconductor
DMG3N60SCT
Diodes Incorporated
DMT69M8LFV-13
Diodes Incorporated
DMP3017SFV-7
Diodes Incorporated
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel