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Diodes Incorporated DMG10N60SCT

Name: DMG10N60SCT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG10N60SCT
Price: 1.13168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (629 reviews)

Numero parte MFG: DMG10N60SCT

quantità disponibile: 59740 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.13168

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMG10N60SCT.pdf

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DMG10N60SCT specificazioni

codice articolo del costruttore	DMG10N60SCT
Numero di parte futuro	FT-DMG10N60SCT
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
DMG10N60SCT Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1587pF @ 16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	178W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG10N60SCT Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMG10N60SCT-FT

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