casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / DME2333-000
codice articolo del costruttore | DME2333-000 |
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Numero di parte futuro | FT-DME2333-000 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DME2333-000 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 3V |
Corrente - max | 100mA |
Capacità @ Vr, F | 0.15pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 13 Ohm @ 5mA, 18GHz |
Dissipazione di potenza (max) | 75mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TA) |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DME2333-000 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DME2333-000-FT |
UPP1001E3/TR13
Microsemi Corporation
UPP1001E3/TR7
Microsemi Corporation
UPP1002/TR13
Microsemi Corporation
UPP1002/TR7
Microsemi Corporation
UPP1002E3/TR13
Microsemi Corporation
UPP1002E3/TR7
Microsemi Corporation
UPP1004/TR13
Microsemi Corporation
UPP1004/TR7
Microsemi Corporation
UPP1004E3/TR13
Microsemi Corporation
UPP1004E3/TR7
Microsemi Corporation
XC4005XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
10AX027H2F34I2LG
Intel
A54SX16A-2TQ100I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C5N
Intel
10AX016E3F27E2LG
Intel
EP1K10QC208-2
Intel