casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / UPP1002E3/TR13
codice articolo del costruttore | UPP1002E3/TR13 |
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Numero di parte futuro | FT-UPP1002E3/TR13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWERMITE® |
UPP1002E3/TR13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | PIN - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente - max | - |
Capacità @ Vr, F | 1.6pF @ 100V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 1 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | DO-216AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-216 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UPP1002E3/TR13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UPP1002E3/TR13-FT |
HSMS-282F-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282F-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282F-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-285B-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-285B-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-285B-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-285C-BLK
Broadcom Limited
HSMS-285C-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-285C-TR1
Broadcom Limited
HSMS-285C-TR1G
Broadcom Limited
XC2S200-6FG456C
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40U484C8
Intel
5SGXMA7K3F40C4N
Intel
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
M1A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation