casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMC1229UFDB-13
codice articolo del costruttore | DMC1229UFDB-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMC1229UFDB-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMC1229UFDB-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A, 3.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6nC @ 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 914pF @ 6V |
Potenza - Max | 1.4W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type B) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMC1229UFDB-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMC1229UFDB-13-FT |
ZXMN6A09DN8TA
Diodes Incorporated
ZXMN6A25DN8TA
Diodes Incorporated
ZXMP6A18DN8TA
Diodes Incorporated
ZXMP6A16DN8QTA
Diodes Incorporated
DI9942T
Diodes Incorporated
DI9945T
Diodes Incorporated
DI9952T
Diodes Incorporated
DI9956T
Diodes Incorporated
DMC3018LSD-13
Diodes Incorporated
DMC3035LSD-13
Diodes Incorporated
LFE2-20E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL400V5-FG256
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-2
Intel
EP1S10B672C6
Intel
EP3SE50F484C2N
Intel
5SGXMA7H2F35I3LN
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel
EP3SL150F780I3
Intel