casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DKI03082
codice articolo del costruttore | DKI03082 |
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Numero di parte futuro | FT-DKI03082 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DKI03082 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1030pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 32W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DKI03082 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DKI03082-FT |
FQD9N25TM
ON Semiconductor
HUF76407D3ST
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HUFA76429D3ST-F085
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
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