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ON Semiconductor RFD12N06RLESM9A

Name: RFD12N06RLESM9A
Brand: ON Semiconductor
SKU: RFD12N06RLESM9A
Price: 0.326232 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (149 reviews)

Numero parte MFG: RFD12N06RLESM9A

quantità disponibile: 28140 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.326232

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: UltraFET™ MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RFD12N06RLESM9A.pdf

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RFD12N06RLESM9A specificazioni

codice articolo del costruttore	RFD12N06RLESM9A
Numero di parte futuro	FT-RFD12N06RLESM9A
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	UltraFET™
RFD12N06RLESM9A Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (massimo)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	485pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	49W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252AA
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RFD12N06RLESM9A Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RFD12N06RLESM9A-FT

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