casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 1277AS-H-100M=P2
codice articolo del costruttore | 1277AS-H-100M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-1277AS-H-100M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE322512C |
1277AS-H-100M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 900mA |
Corrente - Saturazione | 1.2A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 420 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1277AS-H-100M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1277AS-H-100M=P2-FT |
LQG15WH3N0S02D
Murata Electronics North America
LQG15WH3N3C02D
Murata Electronics North America
LQG15WH3N3S02D
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LQG15WH3N6C02D
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LQG15WH3N6S02D
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LQG15WH3N9C02D
Murata Electronics North America
LQG15WH3N9S02D
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LQG15WH4N3C02D
Murata Electronics North America
LQG15WH4N3S02D
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LQG15WH4N7C02D
Murata Electronics North America
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel