casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DF10S_F065
codice articolo del costruttore | DF10S_F065 |
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Numero di parte futuro | FT-DF10S_F065 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF10S_F065 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF10S_F065 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF10S_F065-FT |
2KBP04M
ON Semiconductor
2KBP06M
ON Semiconductor
2KBP08M
ON Semiconductor
2KBP10M
ON Semiconductor
3N246
ON Semiconductor
3N247
ON Semiconductor
3N248
ON Semiconductor
3N249
ON Semiconductor
3N250
ON Semiconductor
3N251
ON Semiconductor
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel