codice articolo del costruttore | 3N247 |
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Numero di parte futuro | FT-3N247 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
3N247 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 165°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, KBPM |
Pacchetto dispositivo fornitore | KBPM |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3N247 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 3N247-FT |
M3P75A-100
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-120
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-140
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-160
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-40
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-60
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-80
GeneSiC Semiconductor
KBU8M
GeneSiC Semiconductor
KBU8G
GeneSiC Semiconductor
KBU6M
GeneSiC Semiconductor
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45C2N
Intel
5SGXEBBR3H43I3LN
Intel
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F31C5N
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP20K100EBC356-3
Intel
EP4SGX530HH35C2
Intel