casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTC123EE-7
codice articolo del costruttore | DDTC123EE-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTC123EE-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTC123EE-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC123EE-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTC123EE-7-FT |
DDTC124ECA-7
Diodes Incorporated
DDTC124GCA-7
Diodes Incorporated
DDTC124TCA-7
Diodes Incorporated
DDTC124XCA-7
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DDTC125TCA-7
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DDTC143FCA-7
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DDTC144ECA-7
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DDTC144GCA-7
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DDTC144WCA-7
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DDTD122TC-7
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